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参数资料
| 型号： | GS88237BD-200IV |
| 厂商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.5 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件页数： | 6/28页 |
| 文件大小： | 925K |
| 代理商： | GS88237BD-200IV |
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Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-200
Unit
0
to 70°C
–40
to 85°C
0
to 70°C
–40
to 85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥VIH or ≤ VIL
Output open
(x36)
Pipeline
IDD
IDDQ
290
40
300
40
240
30
250
30
mA
Standby
Current
ZZ
≥ VDD – 0.2 V
—
Pipeline
ISB
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥ VIH or ≤ VIL
—
Pipeline
IDD
85
90
75
80
mA
GS88237BB/D-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 12/2008
14/28
2003, GSI Technology
Notes:
1. IDD and IDDQ apply to any combination of VDD3 and VDDQ operation.
2. All parameters listed are worst case scenario.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS88237BD-200V | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BD-250IV | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BD-250V | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BGB-200IV | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS88237BGB-200V | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GS88237CB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.7NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.7NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 2.5NS 119FPBGA - Trays |
| GS88237CB-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 2.3NS 119FPBGA - Trays |
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