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参数资料
型号： GSC4423
厂商： GTM CORPORATION
元件分类： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的
文件页数： 2/4页
文件大小： 315K
代理商： GSC4423
GSC4423
Page: 2/4
ISSUED DATE :2006/02/24
REVISED DATE :
Electrical Characteristics (Tj = 25 :::: unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
-30
-
V
VGS=0, ID=-250uA
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
BVDSS /
Tj
-
-0.02
-
V/ :
Reference to 25 : , ID=-1mA
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
-1.0
-
-3.0
V
VDS=VGS, ID=-250uA
Forward Transconductance
gfs
-
17
-
S
VDS=-10V, ID=-10A
Gate-Source Leakage Current
IGSS
-
±100
nA
VGS=±25V
Drain-Source Leakage Current(Tj=25 : )
-
-1
uA
VDS=-30V, VGS=0
Drain-Source Leakage Current(Tj=70 : )
IDSS
-
-25
uA
VDS=-24V, VGS=0
-
12
15
VGS=-10V, ID=-10A
Static Drain-Source On-Resistance2
RDS(ON)
-
20
25
m
VGS=-4.5V, ID=-6A
Total Gate Charge2
Qg
-
27
43
Gate-Source Charge
Qgs
-
3
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
20
-
nC
ID=-10A
VDS=-24V
VGS=-4.5V
Turn-on Delay Time2
Td(on)
-
15
-
Rise Time
Tr
-
12
-
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
40
-
Fall Time
Tf
-
25
-
ns
VDS=-15V
ID=-1A
VGS=-10V
RG=3.3
RD=15
Input Capacitance
Ciss
-
1500
2400
Output Capacitance
Coss
-
530
-
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
440
-
pF
VGS=0V
VDS=-25V
f=1.0MHz
Gate Resistance
Rg
-
2.9
4.5
f=1.0MHz
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Forward On Voltage2
VSD
-
-1.2
V
IS=-2A, VGS=0V
Reverse Recovery Time2
Trr
-
40
-
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
-
38
-
nC
IS=-10A, VGS=0V
dI/dt=100A/ s
Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.
2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board; 125 /W when mounted on Min. copper pad.
:
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