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参数资料
| 型号： | GSC4672 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | Automotive Relays; V23132B2002A100=HCR ( Tyco Electronics ) |
| 中文描述： | npn型外延硅晶体管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | GSC4672 |
1/2
ISSUED DATE :2005/07/15
REVISED DATE :
G
G S
S C
C 44776622
N
N P
P N
N E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L S
S II L
L II C
C O
O N
N T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSC4672 is designed for low frequency amplifier applications.
Features
&Low saturation voltage, typically VCE(sat) =0.1V at IC/IB=1A/50mA
&
Excellent DC current gain characteristics
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
4.45
4.7
D
4.44
4.7
S1
1.02
-
E
3.30
3.81
b
0.36
0.51
L
12.70
-
b1
0.36
0.76
e1
1.150
1.390
C
0.36
0.51
e
2.42
2.66
Absolute Maximum Ratings (TA=25 )
::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
60
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current (DC)
IC
2
A
Collector Current (Pulse PW=10ms)
IC
5
A
Total Device Dissipation
PD
750
mW
Junction Temperature
TJ
150
:
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
:
Electrical Characteristics (TA = 25 : unless otherwise noted)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
60
-
V
IC=50uA, IE=0
BVCEO
50
-
V
IC=1mA, IB=0
BVEBO
6
-
V
IE=50uA, IC=0
ICBO
-
100
nA
VCB=60V, IE=0
IEBO
-
100
nA
VEB=5V, IC=0
*VCE(sat)
-
0.1
0.35
V
IC=1A, IB=50mA
*hFE
120
-
400
VCE=2V, IC=500mA
fT
-
210
-
MHz
VCE=2V, IE=500mA, f=100MHz
Cob
-
25
-
pF
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
*Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle 2%
Classification Of hFE
Rank
A
B
Range
120 ~ 240
200 ~ 400
L
e 1
b
e
S E A T IN G
P L A N E
b 1
A
D
C
S 1
E
TO-92
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSC4800 | Automotive Relays; V23132B2002A200=HCR ( Tyco Electronics ) |
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| GSC4880 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC4N01 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC6618 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GSC4800 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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