| 型号: | GSC4N01 |
| 厂商: | GTM CORPORATION |
| 英文描述: | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述: | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 407K |
| 代理商: | GSC4N01 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| GSC6680 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC7811 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC78L05 | 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GSC500 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:Connector Accessories Sleeve |
| GSC500NP | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:OUTER SLEEVE .500 ID NICKEL PLATE |
| GSC502012 | 制造商:Pentair Technical Products / Hoffman 功能描述:GLOBAL WM ENC,. SCREW COVER |
| GSC50DRAH | 功能描述:CONN EDGECARD 100PS R/A .100 SLD RoHS:是 类别:连接器,互连式 >> Card Edge 系列:- 标准包装:1 系列:- 卡类型:非指定 - 双边 类型:母头 Number of Positions/Bay/Row:10 位置数:20 卡厚度:0.062"(1.57mm) 行数:2 间距:0.156"(3.96mm) 特点:- 安装类型:通孔 端子:焊接 触点材料:磷青铜 触点表面涂层:金 触点涂层厚度:10µin(0.25µm) 触点类型::全波纹管 颜色:蓝 包装:托盘 法兰特点:- 材料 - 绝缘体:聚对苯二甲酸丁二酯(PBT) 工作温度:-65°C ~ 125°C 读数:双 |
| GSC50DRAH-S734 | 功能描述:CONN EDGECARD 100PS .100 R/A SLD RoHS:是 类别:连接器,互连式 >> Card Edge 系列:- 标准包装:1 系列:- 卡类型:非指定 - 双边 类型:母头 Number of Positions/Bay/Row:36 位置数:72 卡厚度:0.093"(2.36mm) 行数:2 间距:0.156"(3.96mm) 特点:- 安装类型:通孔,直角 端子:焊接 触点材料:磷青铜 触点表面涂层:金 触点涂层厚度:10µin(0.25µm) 触点类型::环形波纹管 颜色:绿 包装:托盘 法兰特点:- 材料 - 绝缘体:聚苯硫醚(PPS) 工作温度:-65°C ~ 125°C 读数:双 |