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参数资料
| 型号： | GSC6679 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | GSC6679 |
GSC6679
Page: 1/4
ISSUED DATE :2005/08/04
REVISED DATE :2006/10/27C
G
G S
S C
C 66667799
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Description
The GSC6679 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.
The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited
for low voltage applications such as DC/DC converters.
Features
*Simple Drive Requirement
*Lower On-resistance
*Fast Switching Characteristic
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
5.80
6.20
M
0.10
0.25
B
4.80
5.00
H
0.35
0.49
C
3.80
4.00
L
1.35
1.75
D
0°
8°
J
0.375 REF.
E
0.40
0.90
K
45°
F
0.19
0.25
G
1.27 TYP.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
-30
V
Gate-Source Voltage
VGS
±25
V
Continuous Drain Current3
ID @TA=25 :
-14
A
Continuous Drain Current3
ID @TA=70 :
-8.9
A
Pulsed Drain Current1
IDM
-50
A
Total Power Dissipation
PD @TA=25 :
2.5
W
Linear Derating Factor
0.02
W/ :
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
:
Thermal Data
Parameter
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Rthj-amb
50
: /W
BVDSS
-30V
RDS(ON)
10m
ID
-14A
Pb Free Plating Product
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSC6680 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC7811 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| GSC78L10 | 5.0 AMP POSITIVE VOLTAGE REGULATOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GSC70DRST-S273 | 功能描述:CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> Card Edge 系列:- 标准包装:1 系列:- 卡类型:非指定 - 双边 类型:母头 Number of Positions/Bay/Row:40 位置数:80 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行数:2 间距:0.100"（2.54mm） 特点:- 安装类型:通孔，直角 端子:焊接 触点材料:铜铍 触点表面涂层:金 触点涂层厚度:30µin（0.76µm） 触点类型：:全波纹管 颜色:蓝 包装:管件 法兰特点:顶部安装开口，无螺纹，0.125"（3.18mm）直径 材料 - 绝缘体:聚对苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作温度:-65°C ~ 125°C 读数:双 |
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