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参数资料
| 型号： | GSC6679 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | GSC6679 |
GSC6679
Page: 3/4
ISSUED DATE :2005/08/04
REVISED DATE :2006/10/27C
Characteristics Curve
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| GSC70DRST-S273 | 功能描述:CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> Card Edge 系列:- 标准包装:1 系列:- 卡类型:非指定 - 双边 类型:母头 Number of Positions/Bay/Row:40 位置数:80 卡厚度:0.031"（0.79mm） 行数:2 间距:0.100"（2.54mm） 特点:- 安装类型:通孔，直角 端子:焊接 触点材料:铜铍 触点表面涂层:金 触点涂层厚度:30µin（0.76µm） 触点类型：:全波纹管 颜色:蓝 包装:管件 法兰特点:顶部安装开口，无螺纹，0.125"（3.18mm）直径 材料 - 绝缘体:聚对苯二甲酸丁二酯（PBT） 工作温度:-65°C ~ 125°C 读数:双 |
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