参数资料
型号: GSC6680
厂商: GTM CORPORATION
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述: N沟道增强型功率MOSFET
文件页数: 1/5页
文件大小: 293K
代理商: GSC6680
GSC6680
Page: 1/5
ISSUED DATE :2005/06/27
REVISED DATE :2006/10/02C
G
G S
S C
C 66668800
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Description
The GSC6680 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.
The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited
for low voltage applications such as DC/DC converters.
Features
*Low On-Resistance
*High Vgs Max Rating Voltage
*Surface Mount Package
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
5.80
6.20
M
0.10
0.25
B
4.80
5.00
H
0.35
0.49
C
3.80
4.00
L
1.35
1.75
D
0 C
8 C
J
0.375 REF.
E
0.40
0.90
K
45 C
F
0.19
0.25
G
1.27 TYP.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
30
V
Gate-Source Voltage
VGS
±20
V
Continuous Drain Current3
ID @TA=25 :
11.5
A
Continuous Drain Current3
ID @TA=70 :
9.5
A
Pulsed Drain Current1
IDM
50
A
Total Power Dissipation
PD @TA=25 :
2.5
W
Linear Derating Factor
0.02
W/ :
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
:
Thermal Data
Parameter
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Rthj-amb
50
: /W
BVDSS
30V
RDS(ON)
11m
ID
11.5A
Pb Free Plating Product
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