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参数资料
| 型号： | GSC9406 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | GSC9406 |
GSC9406
Page: 3/4
ISSUED DATE :2006/01/10
REVISED DATE :
Characteristics Curve
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GSC9431 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC9435 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC9435M | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSC945 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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