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参数资料
| 型号： | GSD669A |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶体管 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | GSD669A |
GSD669A
Page: 1/3
ISSUED DATE :2003/10/23
REVISED DATE :2004/11/29B
L
e 1
b
e
S E A T IN G
P L A N E
b 1
A
D
C
S 1
E
TO-92
G
G S
S D
D 666699A
A NNPPNN EEPPIITTAAXXIIAALL PPLLAANNAARR TTRRAANNSSIISSTTOORR
Description
The GSD669A is designed for frequency power amplifier.
Features
*Low frequency power amplifier Complementary pair with GSB649A
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
4.45
4.7
D
4.44
4.7
S1
1.02
-
E
3.30
3.81
b
0.36
0.51
L
12.70
-
b1
0.36
0.76
e1
1.150
1.390
C
0.36
0.51
e
2.42
2.66
Absolute Maximum Ratings(Ta = 25 : ,unless otherwise specified)
Parameter
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
VCBO
180
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
160
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
5
V
Collect Current(DC)
IC
1.5
A
Collect Current*(Pulse)
ICP
3
A
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature Range
TsTG
-55 ~ +150
Total Power Dissipation (TC=25 :::: )
PD
1
W
Electrical Characteristics(Ta = 25 : ,unless otherwise specified)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
V(BR)CBO
180
-
V
IC=1mA ,IE=0
V(BR)CEO
160
-
V
IC=10mA ,RBE=
V(BR)EBO
5
-
V
IE=1mA ,IC=0
ICBO
-
10
uA
VCB=160V , IE=0
*VCE(sat)
-
1
V
lC=600mA,IB=50mA
*VBE(on)
-
1.5
V
VCE=5V,IC=150mA
*hFE1
60
-
200
VCE=5V,IC=150mA
*hFE2
30
-
VCE=5V,IC=500mA
fT
-
140
-
MHz
VCE=5V,IC=150mA
Cob
-
14
-
pF
VCB=10V ,IE=0,f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380us, Duty Cycle 2%
Classification Of hFE1
Rank
B
C
Range
60-120
100-200
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSD965AA | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSD965A | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSD965 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSF-6121S12A | SM Monolithic Filter |
| GSF-6121S15A | SM Monolithic Filter |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GSD-75 | 功能描述:自耦变压器 230Vin 115Vout 50/60Hz 0.65A 75VA RoHS:否 制造商:Hammond Manufacturing 功率额定值:1.5 KVA 初级电压额定值: 次级电压额定值: 安装风格: 长度: 宽度:111.76 mm 高度:136.91 mm |
| GSD-750 | 功能描述:自耦变压器 Auto 230V/115V RoHS:否 制造商:Hammond Manufacturing 功率额定值:1.5 KVA 初级电压额定值: 次级电压额定值: 安装风格: 长度: 宽度:111.76 mm 高度:136.91 mm |
| GSD806020GP4 | 制造商:Pentair Technical Products / Hoffman 功能描述:GLOBAL WALL-MOUNT ENC.,GLAND P |
| GSD808030GP2 | 制造商:Pentair Technical Products / Hoffman 功能描述:WALL MOUNT ENCLOSURE 1200X800X300 MM 制造商:PENTAIR TECNICAL PRODCUTS 功能描述:WALL MOUNT ENCLOSURE 1200X800X300 MM |
| GSD882S | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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