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参数资料
| 型号： | GSMBT8550 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 进步党外延晶体管 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | GSMBT8550 |
GSMBT8550
Page: 1/2
ISSUED DATE :2005/08/31
REVISED DATE :
G
G S
S M
M B
B T
T 88555500
P
P N
N P
P E
E P
P II T
T A
A X
X II A
A L
L T
T R
R A
A N
N S
S II S
S T
T O
O R
R
Description
The GSMBT8550 is designed for general purpose amplifier applications.
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
0.80
1.10
L1
0.42 REF.
A1
0
0.10
L
0.15
0.35
A2
0.80
1.00
b
0.25
0.40
D
1.80
2.20
c
0.10
0.25
E
1.15
1.35
e
0.65 REF.
HE
1.80
2.40
Q1
0.15 BSC.
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 ::::
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Junction Temperature
Tj
+150
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
Collector to Base Voltage
VCBO
-25
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-20
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
-700
mA
Total Power Dissipation
PD
225
mW
Electrical Characteristics(Ta = 25 : ,unless otherwise noted)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
BVCBO
-25
-
V
IC=-10uA, IE=0
BVCEO
-20
-
V
IC=-1mA, IB=0
BVEBO
-5
-
V
IE=-10uA, IC=0
ICBO
-
-1
uA
VCB=-20V, IE=0
IEBO
-
-100
nA
VEB=-5V, IC=0
VCE(sat)
-
-500
mV
IC=-500mA, IB=-50mA
VBE(on)
-
-1
V
VCE=-1V, IC=-150mA
hFE
100
-
500
VCE=-1V, IC=-150mA
fT
150
-
MHz
VCE=-10V, IC=-20mA, f=100MHz
Cob
-
10
pF
VCB=-10V, f=1MHz
Classification Of hFE
Rank
B9C
B9D
B9E
Range
100 ~ 200
150 ~ 300
250 ~ 500
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSMBT9012 | PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT9013 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT9014 | NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT9015 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBT9018 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GSMBT9012 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT9013 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT9014 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR |
| GSMBT9015 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| GSMBT9018 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
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