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参数资料
| 型号： | GSS4565 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 572K |
| 代理商： | GSS4565 |
GSS4565
Page: 5/7
ISSUED DATE :2005/07/27
REVISED DATE :2005/09/29B
N-Channel
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GSS4569 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| GSS4575 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| GSS4816S | DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| GSS4913 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSS4920 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GSS4569 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSS4575 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSS-4-7-G S/C W/HOLE .385 OAL | 功能描述:触点探头 HEADED 37 DEG 3 SIDE CHISEL RoHS:否 制造商:IDI 类型:Probes 尖端类型:Spherical Radius 长度:8.26 mm 电流额定值:10 A 弹力:2.3 oz 行程:1.52 mm 系列:101050 |
| GSS4816S | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| GSS4913 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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