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参数资料
| 型号： | GSS9922E |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | GSS9922E |
GSS9922E
Page: 1/4
ISSUED DATE :2006/04/06
REVISED DATE :
G
G S
S S
S 99992222E
E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Description
The GSS9922E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Low on-resistance
*Capable of 2.5V gate drive
*Optimal DC/DC battery application
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
5.80
6.20
M
0.10
0.25
B
4.80
5.00
H
0.35
0.49
C
3.80
4.00
L
1.35
1.75
D
0°
8°
J
0.375 REF.
E
0.40
0.90
K
45°
F
0.19
0.25
G
1.27 TYP.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
20
V
Gate-Source Voltage
VGS
±12
V
Continuous Drain Current3, VGS@4.5V
ID @Ta=25 :
6.8
A
Continuous Drain Current3, VGS@4.5V
ID @Ta=70 :
5.4
A
Pulsed Drain Current1
IDM
25
A
Total Power Dissipation
PD @Ta=25 :
2
W
Linear Derating Factor
0.016
W/ :
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
:
Thermal Data
Parameter
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Rthj-a
62.5
/
: W
BVDSS
20V
RDS(ON)
20m
ID
6.8A
Pb Free Plating Product
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| GSS9930 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSS9936 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GSS9960 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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