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参数资料
| 型号： | GT2530 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 404K |
| 代理商： | GT2530 |
GT2530
Page: 1/7
ISSUED DATE :2006/01/23
REVISED DATE :
G
G T
T 22553300
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Description
The GT2530 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely
efficient and cost-effectiveness device.
The SOT-26 package is universally used for all commercial-industrial surface mount applications.
Features
*Low Gate Change
*Low On-resistance
*RoHS Compliant
Package Dimensions
Millimeter
Dimensions
REF.
Min.
Max.
REF.
Millimeter
A
2.70
3.10
G
1.90 REF.
B
2.60
3.00
H
1.20 REF.
C
1.40
1.80
I
0.12 REF.
D
0.30
0.55
J
0.37 REF.
E
0
0.10
K
0.60 REF.
F
0°
10°
L
0.95 REF.
Absolute Maximum Ratings
Ratings
Parameter
Symbol
N-channel P-channel
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
30
-30
V
Gate-Source Voltage
VGS
±20
V
Continuous Drain Current3
ID @TA=25 :
3.3
-2.3
A
Continuous Drain Current3
ID @TA=70 :
2.6
-1.8
A
Pulsed Drain Current1
IDM
10
-10
A
Total Power Dissipation
PD @TA=25 :
1.14
W
Linear Derating Factor
0.01
W/ :
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
:
Thermal Data
Parameter
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Rthj-a
110
/
: W
Pb Free Plating Product
N-CH BVDSS
30V
N-CH RDS(ON) 72m
N-CH ID
3.3A
P-CH BVDSS
-30V
N-CH RDS(ON) 150m
N-CH ID
-2.3A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GT2531 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| GT2602 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GT2603 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GT2604 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GT2605 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GT2531 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GT-25-5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SWITCHING POWER SUPPLY, SINGLE OUTPUT: 25 WATTS, ENCLOSED, UNIVERSAL INPUT |
| GT25G101 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS |
| GT25G101(Q) | 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT 400V 170A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| GT25G101(SM) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263VAR |
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