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参数资料
| 型号： | GT2530 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 404K |
| 代理商： | GT2530 |
GT2530
Page: 6/7
ISSUED DATE :2006/01/23
REVISED DATE :
P-Channel
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GT2531 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| GT2602 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GT2603 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GT2604 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GT2605 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| GT2531 | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| GT-25-5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SWITCHING POWER SUPPLY, SINGLE OUTPUT: 25 WATTS, ENCLOSED, UNIVERSAL INPUT |
| GT25G101 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS |
| GT25G101(Q) | 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT 400V 170A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| GT25G101(SM) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263VAR |
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