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参数资料
| 型号： | GT2531 |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 403K |
| 代理商： | GT2531 |
GT2531
Page: 2/7
ISSUED DATE :2006/01/23
REVISED DATE :
N-Channel Electrical Characteristics (Tj = 25 :::: unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
16
-
V
VGS=0, ID=250uA
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
BVDSS /
Tj
-
0.01
-
V/ :
Reference to 25 , I
:
D=1mA
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
0.2
-
1.0
V
VDS=VGS, ID=250uA
Forward Transconductance
gfs
-
9
-
S
VDS=5V, ID=3A
Gate-Source Leakage Current
IGSS
-
±100
nA
VGS= ± 8V
Drain-Source Leakage Current(Tj=25 )
:
-
1
uA
VDS=16V, VGS=0
Drain-Source Leakage Current(Tj=70 )
:
IDSS
-
25
Ua
VDS=12V, VGS=0
-
58
VGS=4.5V, ID=3A
-
70
VGS=2.5V, ID=2A
Static Drain-Source On-Resistance2
RDS(ON)
-
85
m
VGS=1.8V, ID=1A
Total Gate Charge2
Qg
-
7
12
Gate-Source Charge
Qgs
-
0.6
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
2
-
nC
ID=3A
VDS=10V
VGS=4.5V
Turn-on Delay Time2
Td(on)
-
6
-
Rise Time
Tr
-
11
-
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
17
-
Fall Time
Tf
-
3
-
ns
VDS=10V
ID=1A
VGS=5V
RG=3.3
RD=10
Input Capacitance
Ciss
-
360
580
Output Capacitance
Coss
-
50
-
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
40
-
pF
VGS=0V
VDS=15V
f=1.0MHz
Gate Resistance
Rg
-
1.4
2.0
f=1.0MHz
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Forward On Voltage2
VSD
-
1.3
V
IS=0.9A, VGS=0V
Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.
2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board, t 5sec; 180 /W when mounted on Min. copper pad.
:
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