参数资料
型号: GT2531
厂商: GTM CORPORATION
元件分类: MOSFETs
英文描述: 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 30V的N沟道的PowerTrench MOSFET的
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文件大小: 403K
代理商: GT2531
GT2531
Page: 5/7
ISSUED DATE :2006/01/23
REVISED DATE :
N-Channel
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
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PDF描述
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参数描述
GT-25-5 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SWITCHING POWER SUPPLY, SINGLE OUTPUT: 25 WATTS, ENCLOSED, UNIVERSAL INPUT
GT25G101 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS
GT25G101(Q) 功能描述:IGBT 晶体管 IGBT 400V 170A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
GT25G101(SM) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 400V V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263VAR
GT25G101_06 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS