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参数资料
| 型号： | GTC217E |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | GTC217E |
GTC217E
Page: 1/4
ISSUED DATE :2006/08/21
REVISED DATE :2006/12/25B
G
G T
T C
C 221177E
E
N
N -- C
C H
H A
A N
N N
N E
E L
L E
E N
N H
H A
A N
N C
C E
E M
M E
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N T
T M
M O
O D
D E
E P
P O
O W
W E
E R
R M
M O
O S
S F
F E
E T
T
Description
The GTC217E used advanced trench technology to provide excellent on-resistance extremely efficient and
cost-effectiveness device.
The GTC217E is universally used for all commercial-industrial applications.
Features
* Lower Gate Charge
*Small Package Outline
*RoHS Compliant
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
-
1.20
E
6.20
6.60
A1
0.05
0.15
E1
4.30
4.50
b
0.19
0.30
e
0.65 BSC
c
0.09
0.20
L
0.45
0.75
D
2.90
3.10
S
0°
8°
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
20
V
Gate-Source Voltage
VGS
±12
V
Continuous Drain Current3
ID @TA=25 :
7
A
Continuous Drain Current3
ID @TA=70 :
5.7
A
Pulsed Drain Current1,2
IDM
30
A
Total Power Dissipation
PD @TA=25 :
1.5
W
Linear Derating Factor
0.012
W/ :
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
:
Thermal Data
Parameter
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.
Rthj-a
83
: /W
BVDSS
20V
RDS(ON)
22m
ID
7A
Pb Free Plating Product
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| GTC21SBSN-M89 | 功能描述:CONN HEADER 21POS .100 R/A SMD RoHS:否 类别:连接器，互连式 >> 矩形- 接头，公引脚 系列:- 标准包装:500 系列:KK® 7832 触点类型：:公形引脚 连接器类型:接头，无罩 位置数:8 加载位置的数目:7 间距:0.100"（2.54mm） 行数:1 行间距:- 触点接合长度:0.264"（6.70mm） 安装类型:通孔，直角 端子:焊接 紧固型:摩擦锁 特点:位置 3 模制闭端 触点表面涂层:锡 触点涂层厚度:60µin（1.52µm） 颜色:白 包装:散装 其它名称:0022-05-8084002205-808422-05-808422058084 |
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| GTC220E | 制造商:GTM 制造商全称:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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