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参数资料
| 型号： | GTC217E |
| 厂商： | GTM CORPORATION |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | GTC217E |
GTC217E
Page: 4/4
ISSUED DATE :2006/08/21
REVISED DATE :2006/12/25B
Important Notice:
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China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China
TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165
Fig 7. Maximum Safe Operating Area
Fig 8. Single Pulse Power Rating
Junction-to-Ambient
v.s. Junction Temperature
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Curve
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