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参数资料
| 型号： | GWM120-0075X1-SL SAM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.9 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 18-SMD，非标准型 |
| 供应商设备封装： | SMD |
| 包装： | 管件 |
GWM 120-0075X1
14
140
12
10
I D = 125 A
T J = 25°C
120
100
8
6
4
2
V DS = 15 V
V DS = 55 V
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
Q G [nC]
Fig.7 Gate charge characteristic
T J [°C]
Fig. 8 Drain current I D vs. case temperature T C
0.5
0.4
0.3
0.2
V DS = 30 V
V GS = +10/0 V
R G = 39 Ω
T J = 125°C
t d(on)
t r
200
160
120
80
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
V DS = 30 V
V GS = +10/0 V
R G = 39 Ω
T J = 125°C
t d(off)
1000
900
800
700
600
500
400
0.3
300
0.1
0.0
0
E on
20
E rec(off) x10
40 60
80
100
120
40
0
140
0.2
0.1
0.0
0
E off
20
40
60
80
100
120
t f
200
100
0
140
I D [A]
Fig. 9 Typ. turn-on energy & switching times
vs. collector current, inductive switching
I D [A]
Fig. 10 Typ. turn-off energy & switching times
vs. collector current, inductive switching
1.50
1.25
1.00
0.75
V DS = 30 V
V GS = +10/0 V
I D = 125 A
T J = 125°C
t r
t d(on)
300
250
200
150
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V DS = 30 V
V GS = +10/0 V
I D = 125 A
T J = 125°C
t d(off)
1800
1600
1400
1200
1000
800
0.50
100
0.6
E off
600
0.25
E on
E rec(off) x10
50
0.4
0.2
t f
400
200
0.00
0
20
40
60
80
100
0
120
0.0
0
20
40
60
80
100
0
120
R G [ Ω ]
R G [ Ω ]
Fig. 11 Typ. turn-on energy & switching times
vs. gate resistor, inductive switching
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
Fig. 12
Typ. turn-off energy & switching times
vs. gate resistor, inductive switching
20110407d
5-6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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