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参数资料
| 型号： | GWM120-0075X1-SMD |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD |
| 标准包装： | 36 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.9 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 18-SMD，非标准型 |
| 供应商设备封装： | SMD |
| 包装： | 管件 |
GWM 120-0075X1
Source-Drain Diode
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V SD
t rr
Q RM
I RM
(diode) I F = 80 A; V GS = 0 V
I F = 80 A; -di F /dt = 800 A/μs
V R = 30 V; T J = 125°C
0.9
55
0.9
30
1.2
V
ns
μC
A
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I RMS
T VJ
T stg
V ISOL
F C
per pin in main current paths (P+, N-, L1, L2, L3)
may be additionally limited by external connections
I ISOL < 1 mA, 50/60 Hz, f = 1 minute
mounting force with clip
300
-55...+175
-55...+125
1000
50 - 250
A
°C
°C
V~
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R pin to chip
C P
Weight
with heatsink compound
coupling capacity between shorted
pins and mounting tab in the case
typ.
0.6
160
25
m W
pF
g
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
20110407d
2-6
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