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参数资料
| 型号： | GWM120-0075X1-SMD |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD |
| 标准包装： | 36 |
| FET 型： | 6 N-沟道（3 相桥） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.9 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 18-SMD，非标准型 |
| 供应商设备封装： | SMD |
| 包装： | 管件 |
GWM 120-0075X1
1,2
1,1
1,0
0,9
I DSS = 0.25 mA
250
200
150
100
V DS = 30 V
0,8
0,7
-25
0
25
50 75
T J [°C]
100
125
150
50
0
0
1
2
TJ = 125°C
3 4
V GS [V]
TJ = 25°C
5 6
7
Fig. 1 Drain source breakdown voltage V DSS
vs. junction temperature T VJ
Fig. 2 Typical transfer characteristic
300
250
V GS =
20 V
15 V
10 V
7V
6.5 V
T J = 25°C
300
250
V GS =
20 V
15 V
10 V
7V
TJ = 125°C
6.5 V
200
150
6V
200
150
6V
100
50
0
0
1
2
3
V DS [V]
4
5
5.5 V
5V
4.5 V
4V
6
100
50
0
0
1
2
3
V DS [V]
4
5
5.5 V
5V
4.5 V
4V
6
Fig. 3 Typical output characteristic
Fig. 4 Typical output characteristic
2,0
1,6
V GE = 10 V
I D = 125 A
12
10
4,0 4 V 4.5 V
3,5
3,0
5V
5.5 V
6V
6.5 V
V GS = 10 V
I D = 125 A
1,2 R DS(on) normalized
0,8
R DS(on)
8
6
2,5
2,0
1,5
TJ = 125°C
7V
0,4
-25
0
25
50 75
T J [°C]
100
125
4
2
150
1,0
0,5
0
50
100
150
I D [A]
200
10 V
15 V
20 V
250 300
Fig. 5 Drain source on-state resistance R DS(on)
versus junction temperature T J
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
Fig. 6 Drain source on-state
resistance R DS(on) versus I D
20110407d
4-6
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