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参数资料
| 型号： | H11AA1SR2M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUP AC IN PHOTOTRANS 6-SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 6-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | AC，DC |
| 电压 - 隔离： | 7500Vpk |
| 电流传输比（最小值）： | 20% @ ±10mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 60mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2760 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | H11AA1SR2MDKR |
Electrical Characteristics (T A = 25°C Unless otherwise speci?ed.)
Individual Component Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Device
Min.
Typ.*
Max.
Unit
EMITTER
V F
C J
Input Forward Voltage
Capacitance
I F = ±10mA
V F = 0 V, f = 1.0MHz
All
All
1.17
80
1.5
V
pF
DETECTOR
BV CEO
Breakdown Voltage
I C = 1.0mA, I F = 0
All
30
100
V
Collector to Emitter
BV CBO
BV EBO
BV ECO
Collector to Base
Emitter to Base
Emitter to Collector
I C = 100μA, I F = 0
I E = 100μA, I F = 0
I E = 100μA, I F = 0
All
All
All
70
5
7
120
10
10
V
V
V
I CEO
Leakage Current
V CE = 10 V, I F = 0
H11AA1M
1
50
nA
Collector to Emitter
H11AA3M
H11AA4M
H11AA2M
1
200
C CE
Capacitance Collector
V CE = 0, f = 1MHz
All
10
pF
to Emitter
C CB
C EB
Collector to Base
Emitter to Base
V CB = 0, f = 1MHz
V EB = 0, f = 1MHz
All
All
80
15
pF
pF
*Typical values at T A = 25°C
Transfer Characteristics
Symbol
CTR CE
Characteristics
Current Transfer Ratio,
Test Conditions
I F = ±10mA, V CE = 10V
Device
H11AA4M
Min.
100
Typ.*
Max.
Units
%
Collector to Emitter
H11AA3M
H11AA1M
H11AA2M
50
20
10
Current Transfer Ratio,
I F = ±10mA, V CE = 10V
All
.33
3.0
Symmetry
(Figure 11)
V CE(SAT)
Saturation Voltage,
I F = ±10mA, I CE = 0.5mA
All
.40
V
Collector to Emitter
Isolation Characteristics
Symbol
C I-O
Characteristic
Package Capacitance
Test Conditions
V I-O = 0, f = 1MHz
Min.
Typ.*
0.7
Max.
Units
pF
Input/Output
V ISO
R ISO
Isolation Voltage
Isolation Resistance
f = 60Hz, t = 1 sec.
V I-O = 500 VDC
7500
10 11
Vac(pk)
?
*Typical values at T A = 25°C
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
H11AA1M, H11AA2M, H11AA3M, H11AA4M Rev. 1.0.3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11AG1TVM | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 6DIP |
| H11AV1A | OPTOCOUPLER TRANS OUT 6-DIP |
| H11D1SVM | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS VDE 6-SMD |
| H11D2SR2VM | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6SMD |
| H11F2M | OPTOCOUPLER PHOTO FET 6DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11AA1SR2-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Optocoupler AC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD White T/R 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Optocoupler AC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD White T/R |
| H11AA1SR2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler SM-DIP6 Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AA1SVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 MOT AC IN-TRANS OUT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AA1TM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 MOT AC IN-TRANS OUT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AA1TVM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 MOT AC IN-TRANS OUT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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