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参数资料
| 型号： | H11AG1TVM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 100% @ 1mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
September 2009
H11AG1M
Phototransistor Optocoupler
Features
■ High efficiency low degradation liquid epitaxial IRED
■ Logic level compatible, input and output currents,
with CMOS and LS/TTL
■ High DC current transfer ratio at low input currents
(as low as 200μA)
■ Underwriters Laboratory (UL) recognized File
#E90700, Volume 2
■ IEC 60747-5-2 approved (ordering option V)
Applications
■ CMOS driven solid state reliability
■ Telephone ring detector
■ Digital logic isolation
Schematic
Description
The H11AG1M device consists of a Gallium-Aluminum-
Arsenide IRED emitting diode coupled with a silicon
phototransistor in a dual in-line package. This device
provides the unique feature of the high current transfer
ratio at both low output voltage and low input current.
This makes it ideal for use in low power logic circuits,
telecommunications equipment and portable electronics
isolation applications.
ANODE 1
6 BASE
6
1
6
CATHODE 2
N/C 3
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11AG1M Rev. 1.0.3
5 COL
4 EMITTER
6
1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11AV1A | OPTOCOUPLER TRANS OUT 6-DIP |
| H11D1SVM | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS VDE 6-SMD |
| H11D2SR2VM | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6SMD |
| H11F2M | OPTOCOUPLER PHOTO FET 6DIP |
| H11G3SR2M | OPTOCOUPLER PHOTODARL HV 6SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11AG1VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG2_Q | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG2300 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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