参数资料
型号: H11AG1TVM
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 6DIP
产品目录绘图: Opto 6-DIP Package
标准包装: 1,000
通道数: 1
输入类型: DC
电压 - 隔离: 5300Vrms
电流传输比(最小值): 100% @ 1mA
输出电压: 30V
电流 - 输出 / 通道: 50mA
电流 - DC 正向(If): 50mA
Vce饱和(最大): 400mV
输出类型: 有基极的晶体管
安装类型: 通孔
封装/外壳: 6-DIP(0.300",7.62mm)
包装: 管件
产品目录页面: 2759 (CN2011-ZH PDF)
Ordering Information
Suf?x
No Suf?x
S
SR2
T
V
TV
SV
SR2V
Example
H11AG1M
H11AG1SM
H11AG1SR2M
H11AG1TM
H11AG1VM
H11AG1TVM
H11AG1SVM
H11AG1SR2VM
Option
Standard Through Hole Device (50 units per tube)
Surface Mount Lead Bend
Surface Mount; Tape and Reel (1,000 units per reel)
0.4" Lead Spacing
VDE 0884
VDE 0884, 0.4" Lead Spacing
VDE 0884, Surface Mount
VDE 0884, Surface Mount, Tape & Reel (1,000 units per reel)
Marking Information
1
H11AG1
2
V
X YY Q
6
De?nitions
3
4
5
1
2
3
4
5
6
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11AG1M Rev. 1.0.3
Fairchild logo
Device number
VDE mark (Note: Only appears on parts ordered with VDE
option – See order entry table)
One digit year code, e.g., ‘7’
Two digit work week ranging from ‘01’ to ‘53’
Assembly package code
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
H11AV1A OPTOCOUPLER TRANS OUT 6-DIP
H11D1SVM OPTOCOUPLER PHOTOTRANS VDE 6-SMD
H11D2SR2VM PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6SMD
H11F2M OPTOCOUPLER PHOTO FET 6DIP
H11G3SR2M OPTOCOUPLER PHOTODARL HV 6SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
H11AG1VM 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11AG1W 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11AG2 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11AG2_Q 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11AG2300 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk