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参数资料
| 型号： | H11AG1TVM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 100% @ 1mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Curves
2.0
1.8
1.6
Figure 1. LED Forward Voltage vs. Forward Current
Figure 2. Normalized Current Transfer Ratio vs. Forward Current
1.2
1.0
0.8
T A = -55 C
1.4
1.2
o
T A = 25 o C
T A = 100 o C
0.6
0.4
NORMALIZED TO:
T A = 25 C
1.0
0.8
0.2
I F = 5mA
V CE = 5V
o
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1.6
I F - LED FORWARD CURRENT (mA)
Figure 3. Normalized CTR vs. Temperature
NORMALIZED TO:
I F - FORWARD CURRENT - mA
Figure 4. Normalized Collector vs. Collector - Emitter Voltage
10
1.4
I F = 5mA
T A = 25 C
1.2
1.0
CE
V = 5V
o
I F = 10mA
I F = 2mA
I F = 5mA
1
I F = 10mA
I F = 5mA
I F = 2mA
0.1
I F = 1mA
0.8
0.6
I F = 1mA
0.01
I F = 0.5mA
I F = 0.2mA
I F = 0.5mA
0.4
0.2
0.0
I F = 0.2mA
0.001
NORMALIZED TO:
I F = 5mA
V CE = 5V
T A = 25 o C
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.0001
T A - AMBIENT TEMPERATURE - C
o
0.1
1
V CE - COLLECTOR - EMITTER VOLTAGE - V
10
30
25
Figure 5. Normalized Collector Base
Photocurrent Ratio vs. Forward Current
Figure 6. Normalized Collector - Base Current vs. Temperature
10
I F = 10mA
20
1
I F = 5mA
I F = 2mA
I F = 1mA
15
10
0.1
I F = 0.5mA
5
NORMALIZED TO:
I F = 5mA
V CB = 5V
T A = 25 o C
0.01
NORMALIZED TO:
I F = 5mA
V CB = 5V
I F = 0.2mA
T A = 25 C
o
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.001
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T A - AMBIENT TEMPERATURE - C
I F - FORWARD CURRENT - mA
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11AG1M Rev. 1.0.3
5
o
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11AV1A | OPTOCOUPLER TRANS OUT 6-DIP |
| H11D1SVM | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS VDE 6-SMD |
| H11D2SR2VM | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6SMD |
| H11F2M | OPTOCOUPLER PHOTO FET 6DIP |
| H11G3SR2M | OPTOCOUPLER PHOTODARL HV 6SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11AG1VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG2_Q | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG2300 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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