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参数资料
| 型号： | H11AG1TVM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS OUT 6DIP |
| 产品目录绘图： | Opto 6-DIP Package |
| 标准包装： | 1,000 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5300Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 100% @ 1mA |
| 输出电压： | 30V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 有基极的晶体管 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 2759 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Characteristics (T A = 25°C unless otherwise speci?ed.)
Individual Component Characteristics
Symbol
Parameters
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Units
EMITTER
V F
I R
C J
Input Forward Voltage
Reverse Leakage Current
Capacitance
I F = 1mA
V R = 5V, T A = 25°C
V = 0, f = 1.0MHz
1.25
1.5
10
100
V
μA
pF
DETECTOR
BV CEO
BV CBO
BV ECO
Breakdown Voltage, Collector to Emitter
Collector to Base
Emitter to Collector
I C = 1.0mA, I F = 0
I C = 100μA, I F = 0
I C = 100μA, I F = 0
30
70
7
V
V
V
I CEO
C CE
Leakage Current, Collector to Emitter
Capacitance
V CE = 10V, I F = 0
V CE = 10V, f = 1MHz
5
10
10
μA
pF
*Typical values at T A = 25°C.
Isolation Characteristics
Symbol
V ISO
R ISO
Parameter
Input-Output Isolation Voltage
Isolation Resistance
Test Conditions
f = 60Hz, t = 1 sec.
V I-O = 500VDC, T A = 25°C
Min.
7500
10 11
Typ.*
Max.
Units
V AC PEAK
?
Transfer Characteristics (T A = 25°C Unless otherwise speci?ed.)
Symbol
Characteristics
Test Conditions
Min.
Typ.*
Max.
Units
DC CHARACTERISTICS
CTR
Current Transfer Ratio
I F = 1mA, V CE = 5V
300
%
I F = 1mA, V CE = 0.6V
I F = 0.2mA, V CE = 1.5V
100
100
V CE(SAT)
Saturation Voltage
I F = 2.0mA, I C = 0.5mA
.40
V
AC CHARACTERISTICS
Non-Saturated Switching Times
t on
t off
Turn-On Time
Turn-Off Time
R L = 100 ? , I F = 1mA, V CC = 5V
R L = 100 ? , I F = 1mA, V CC = 5V
5
5
μs
μs
*Typical values at T A = 25°C
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11AG1M Rev. 1.0.3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11AV1A | OPTOCOUPLER TRANS OUT 6-DIP |
| H11D1SVM | OPTOCOUPLER PHOTOTRANS VDE 6-SMD |
| H11D2SR2VM | PHOTOCOUPLER DARL OUT GP 6SMD |
| H11F2M | OPTOCOUPLER PHOTO FET 6DIP |
| H11G3SR2M | OPTOCOUPLER PHOTODARL HV 6SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11AG1VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG1W | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG2_Q | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 LC Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11AG2300 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler LC Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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