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参数资料
| 型号： | H11D2-X001 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DIP-6 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | H11D2-X001 |
Document Number: 83611
For technical questions, contact: optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
Rev. 1.6, 10-Dec-08
289
H11D1, H11D2, H11D3, H11D4
Optocoupler, Phototransistor
Output, with Base Connection,
High BVCER Voltage
Vishay Semiconductors
Note
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified.
Stresses in excess of the absolute maximum ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is not implied
at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute maximum ratings for
extended periods of the time can adversely affect reliability.
OUTPUT
Collector emitter voltage
H11D1
VCE
300
V
H11D2
VCE
300
V
H11D3
VCE
200
V
H11D4
VCE
200
V
Collector base voltage
H11D1
VCBO
300
V
H11D2
VCBO
300
V
H11D3
VCBO
200
V
H11D4
VCBO
200
V
Emitter base voltage
VBEO
7V
Collector current
IC
100
mA
Power dissipation
Pdiss
300
mW
COUPLER
Isolation test voltage
between emitter and detector
VISO
5300
VRMS
Insulation thickness between emitter
and detector
≥ 0.4
mm
Creepage distance
≥ 7mm
Clearance distance
≥ 7mm
Comparative tracking index
per DIN IEC 112/VDE 0303, part 1
175
Isolation resistance
VIO = 500 V, Tamb = 25 °C
RIO
≥ 1012
Ω
VIO = 500 V, Tamb = 100 °C
RIO
≥ 1011
Ω
Storage temperature range
Tstg
- 55 to + 150
°C
Operating temperature range
Tamb
- 55 to + 100
°C
Junction temperature
Tj
100
°C
Soldering temperature
max. 10 s, dip soldering: distance
to seating plane
≥ 1.5 mm
Tsld
260
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTCS
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
INPUT
Forward voltage
IF = 10 mA
VF
1.1
1.5
V
Reverse voltage
IR = 10 A
VR
6V
Reverse current
VR = 6 V
IR
0.01
10
A
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
CO
25
pF
Thermal resistance
RthJA
750
K/W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
TEST CONDITION
PART
SYMBOL
VALUE
UNIT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11G2.3S | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 6N138.SDL | 1 CHANNEL LOGIC OUTPUT OPTOCOUPLER |
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| H120B-FREQ-8-1010-EXT-TR | QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 12 MHz - 32 MHz |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11D2-X007 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D2Z | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Optoelectronic |
| H11D3 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HV Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D3_Q | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 DIP-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| H11D3300 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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