参数资料
型号: H11D2-X001
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 光电耦合器
英文描述: 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封装: ROHS COMPLIANT, DIP-6
文件页数: 6/8页
文件大小: 109K
代理商: H11D2-X001
Document Number: 83611
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www.vishay.com
Rev. 1.6, 10-Dec-08
293
H11D1, H11D2, H11D3, H11D4
Optocoupler, Phototransistor
Output, with Base Connection,
High BVCER Voltage
Vishay Semiconductors
0.315 (8.0)
min.
0.300 (7.62)
typ.
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.331 (8.4)
min.
0.406 (10.3)
max.
0.028 (0.7)
Option 7
18494
min.
0.315 (8.00)
0.020 (0.51)
0.040 (1.02)
0.300 (7.62)
ref.
0.375 (9.53)
0.395 (10.03)
0.012 (0.30) typ.
0.0040 (0.102)
0.0098 (0.249)
15° max.
Option 9
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参数描述
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H11D2Z 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Optoelectronic
H11D3 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HV Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11D3_Q 功能描述:晶体管输出光电耦合器 DIP-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk
H11D3300 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk