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参数资料
| 型号： | H11N2M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-MDIP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 隔离： | 7500Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 数据速率： | 5MHz |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 100ns |
| 电流 - DC 正向(If)： | 5mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 开路集电极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 6-DIP |
| 包装： | 管件 |
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C unless otherwise specified.)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
The absolute maximum ratings are stress ratings only.
Symbol
Parameters
Value
Units
TOTAL DEVICE
T STG
T OPR
T SOL
P D
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature
Total Device Power Dissipation @ 25°C
Derate Above 25°C
-40 to +150
-40 to +85
260 for 10 sec
250
2.94
°C
°C
°C
mW
mW/°C
EMITTER
I F
V R
I F (pk)
P D
Continuous Forward Current
Reverse Voltage
Forward Current – Peak (1μs pulse, 300 pps)
LED Power Dissipation 25°C Ambient
Derate Linearly From 25°C
30
6
1.0
120
1.41
mA
V
A
mW
mW/°C
DETECTOR
P D
V O
V CC
I O
Detector Power Dissipation @ 25°C
Derate Linearly from 25°C
V 45 Allowed Range
V 65 Allowed Range
I 4 Output Current
150
1.76
0 to 16
0 to 16
50
mW
mW/°C
V
V
mA
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
H11N1M, H11N2M, H11N3M Rev. 1.0.2
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| H11N2SD | 功能描述:高速光耦合器 SM-DIP6 RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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