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参数资料
| 型号： | H11N2M |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-MDIP |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 隔离： | 7500Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 数据速率： | 5MHz |
| 传输延迟高 - 低 @ 如果： | 100ns |
| 电流 - DC 正向(If)： | 5mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 开路集电极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 6-DIP |
| 包装： | 管件 |
Tape Dimensions
12.0 ± 0.1
4.5 ± 0.20
2.0 ± 0.05
?1.5 MIN
0.30 ± 0.05
4.0 ± 0.1
1.75 ± 0.10
11.5 ± 1.0
21.0 ± 0.1
9.1 ± 0.20
24.0 ± 0.3
0.1 MAX
10.1 ± 0.20
?1.5 ± 0.1/-0
User Direction of Feed
Note:
All dimensions are in millimeters.
Reflow Soldering Profile
300
280
260
240
220
200
260 ° C
>245 ° C = 42 Sec
° C
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1.822 ° C/Sec Ramp up rate
33 Sec
Time above
183 ° C = 90 Sec
0
60
120
180
270
360
Time (s)
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
H11N1M, H11N2M, H11N3M Rev. 1.0.2
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H2051-01 | TERM SLDR TURRET SLOTTED 4.78MM |
| H2055-01 | TERM SLDR TURRET SLOTTED 6.35MM |
| H2071Z01 | TERM SLDR TURRET SLOTTED 9.12MM |
| H2072-01 | TERM SLDR TURRET SLOTTED 6.35MM |
| H2072Z01 | TERM SLDR TURRET SLOTTED 6.52MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| H11N2-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER SCHIMITT TRIGGER 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER SCHMITT TRIGGER 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER, SCHIMITT TRIGGER 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLERSCHMITT TRIGGER 7500VRMS 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER, SCHMITT TRIGGER, 7500VRMS; No. of Channels:1; Isolation Voltage:7.5kV; Optocoupler Output Type:Schmitt Trigger; Input Current:10mA; Output Voltage:16V; Opto Case Style:DIP; No. of Pins:6; Input Current Max:10mA ;RoHS Compliant: Yes |
| H11N2-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER SCHMITT TRIGGER |
| H11N2M_Q | 功能描述:高速光耦合器 Optocoupler LC Schmitt Trigger RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| H11N2S | 功能描述:高速光耦合器 SM-DIP6 RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| H11N2SD | 功能描述:高速光耦合器 SM-DIP6 RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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