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参数资料
| 型号： | HAT1025R |
| 厂商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel Power MOS FET(P沟道功率MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道功率MOS FET性（P沟道功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | HAT1025R |
HAT1025R
7
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (1 Drive Operation)
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Souece to Drain Voltage
N
s
γ
–20
–16
–12
–8
–4
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
0, 5 V
V = –5 V
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
1000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
Pulse Test
DM
P
PW
T
D =PW
T
ch – f = 125
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
θ
γ θ
θ
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