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参数资料
| 型号： | HB28D096A8HSR |
| 英文描述： | HB28D096A8HSR/HB28D032A8HSR Datasheet |
| 中文描述： | HB28D096A8HSR/HB28D032A8HSR数据表 |
| 文件页数： | 54/67页 |
| 文件大小： | 197K |
| 代理商： | HB28D096A8HSR |
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HB28D096/032A8HSR
52
DC Characteristics-3
(Ta =
25 to +85C, V
CC
= 5.0 V
±
10%)
32MB
96MB
Parameter
Symbol
Typ
Max
Typ
Max
Unit Test conditions
Sleep/standby
current
I
SP1
0.5
1.0
0.5
1.0
mA
CMOS level (control signal = V
CC
– 0.2 V)
(In Memory card mode and I/O
card mode)
Sector read
current
I
(RMS)*
1
30
100
30
100
mA
CMOS level (control signal = V
CC
– 0.2 V) during sector read
transfer
Sector write
current
I
(RMS)*
1
40
100
60
100
mA
CMOS level (control signal = V
CC
– 0.2 V) during sector write
transfer
Read/Write
current peak
Note:
I
(Peak)
120 mA/
50
μ
s*
2
120 mA/
50
μ
s*
2
CMOS level (control signal = V
CC
– 0.2 V)
1. Average value of the RMS operation current at the time of 128 sector transfer.
2. Reference value.
DC Characteristics-4
(Ta =
25 to +85C, V
CC
= 3.3 V
±
5%)
32MB
96MB
Parameter
Symbol
Typ
Max
Typ
Max
Unit Test conditions
Sleep/standby
current
I
SP1
0.3
1.0
0.3
1.0
mA
CMOS level (control signal = V
CC
– 0.2 V)
(In Memory card mode and I/O
card mode)
Sector read
current
I
(RMS)*
1
20
75
20
75
mA
CMOS level (control signal = V
CC
– 0.2 V) during sector read
transfer
Sector write
current
I
(RMS)*
1
30
75
50
75
mA
CMOS level (control signal = V
CC
– 0.2 V) during sector write
transfer
Read/Write
current peak
Note:
I
(Peak)
120 mA/
50
μ
s*
2
120 mA/
50
μ
s*
2
CMOS level (control signal = V
CC
– 0.2 V)
1. Average value of the RMS operation current at the time of 128 sector transfer.
2. Reference value.
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PDF描述 |
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