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参数资料
| 型号： | HCPL-3180-300 |
| 英文描述： | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| 中文描述： | 当前，高速式IGBT / MOSFET的门极驱动光电耦合器 |
| 文件页数： | 5/19页 |
| 文件大小： | 466K |
| 代理商： | HCPL-3180-300 |
5
Insulation and Safety Related Specifications
Absolute Maximum Ratings
Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
HCPL-3180
Units
Conditions
Minimum External Air Gap (Clearance)
L(101)
7.1
mm
Measured from input terminals to output terminals, shortest
distance through air.
Minimum External Tracking (Creepage)
L(102)
7.4
mm
Measured from input terminals to output terminals, shortest
distance path along body.
Minimum Internal Plastic Gap
(Internal Clearance)
0.08
mm
Through insulation distance conductor to conductor, usually
the straight line distance thickness between the emitter and
detector.
Tracking Resistance
(Comparative Tracking Index)
CTI
>175
V
DIN IEC 112/VDE 0303 Part 1
Isolation Group
IIIa
Material Group (DIN VDE 0110, 1/89, Table 1)
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Note
Storage Temperature
T
S
-55
+125
°C
Junction Temperature
Tj
-40
+125
°C
Average Input Current
I
F(AVG)
25
mA
1
Peak Transient Input Current (<1s pulse width, 300 pps)
I
F(TRAN)
1.0
A
Reverse Input Voltage
V
R
5
V
"High" Peak Output Current
I
OH(PEAK)
2.5
A
2
"Low" Peak Output Current
I
OL(PEAK)
2.5
A
2
Supply Voltage
V
CC
- V
EE
-0.5
25
V
Output Voltage
V
O(PEAK)
0
V
CC
V
Output Power Dissipation
P
O
250
mW
3
Total Power Dissipation
P
T
295
mW
4
Lead Solder Temperature
+260 °C for 10 sec., 1.6 mm below seating plane
Solder Reflow Temperature Profile
See Package Outline Drawings section
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Note
Power Supply
V
CC
- V
EE
10
20
V
Input Current (ON)
I
F(ON)
10
16
mA
Input Voltage (OFF)
V
F(OFF)
- 3.0
0.8
V
Operating Temperature
T
A
- 40
100
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCPL-3180-500 | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| HCPL-3180 | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| HCPL3180 | Current, High Speed IGBT/MOSFET Gate Drive Optocoupler |
| HCPL-354 | AC Input Phototransistor Optocoupler SMD Mini-Flat Type |
| HCPL-354-000E | AC Input Phototransistor Optocoupler SMD Mini-Flat Type |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HCPL-3180-300E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-360 | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-360E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-500 | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-3180-500E | 功能描述:高速光耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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