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参数资料
| 型号： | HCPL0600V |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 13/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER 10MBIT SGL 8-SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 隔离： | 3750Vrms |
| 通道数： | 1，单向 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 数据速率： | 10Mbps |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 输入类型： | DC |
| 输出类型： | 开路集电极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
I F
Dual Channel
B
A
1
V CC 8
R L
+3.3V
Output V O
V FF
2
7
0.1 μ F
Monitoring
Node
3
6
Bypass
4
GND
5
V CM
+ –
Pulse
Generator
Z O = 50 Ω
Test Circuit for HCPL0637, HCPL063 8 and HCPL0639
V CM
0V
Peak
3.3V
V O
Switching Pos. (A), I F = 0
V O (Min)
V O (Max)
CM H
V O
0.5 V
Switching Pos. (B), I F = 7.5 mA
Fig. 23 T est Circuit Common Mode Transient Immunity
(HCPL0637, HCPL063 8 and HCPL0639)
CM L
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
HCPL06XX Rev. 1.0.9
13
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H11N2SR2M | OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-SMD |
| MC100EL04DTR2 | IC GATE AND/NAND ECL 2IN 8-TSSOP |
| FOD3150SD | OPTOCOUPLER GATE DRV 1A 8-SMDIP |
| H11N2SR2VM | OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-SMD |
| H11N2SM | OPTOISOLATOR SCHMITT OUT 6-SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HCPL0601 | 功能描述:高速光耦合器 10MBit Optocoupler HS Logic Gate RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-0601 | 功能描述:高速光耦合器 10MBd 1Ch 5mA RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-0601#060 | 功能描述:高速光耦合器 10MBd 1Ch 5mA RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-0601#500 | 功能描述:高速光耦合器 10MBd 1Ch 5mA RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-0601#560 | 功能描述:高速光耦合器 10MBd 1Ch 5mA RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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