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参数资料
| 型号： | HCPL4503SDM |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTOCOUPLER TRANS-OUT 1CH 8-SMD |
| 产品目录绘图： | Opto 8-SMD Package |
| 标准包装： | 1 |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 19% @ 16mA |
| 电流传输比（最大）： | 50% @ 16mA |
| 输出电压： | 20V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 8mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 25mA |
| 输出类型： | 有 Vcc 的晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | HCPL4503SDMDKR |
Package Dimensions (Continued)
Figure 21. 8-Pin DIP Surface Mount 0.4” Lead Spacing (Option TS)
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speci?cally the warranty therein, which covers Fairchild products.
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http://www.fairchildsemi.com/dwg/N0/N08L.pdf .
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
6N13XM, HCPLXXXM Rev. 1.0.11
16
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HDC-H240-41S1-TG30 | CONN HEADER 240PS 4ROW VERT GOLD |
| HDC-P200-41S1-KR | CONN HEADER 200POS R/A 4ROW GOLD |
| HDC-R160-41P1-TG30 | CONN SOCKET 160POS 4ROW R/A GOLD |
| HEF4511BP,652 | IC BCD-7 SEG DECODER/DRVR 16-DIP |
| HEF4543BP,652 | IC BCD-7 SEG DECODER/DRVR 16-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HCPL4503SDVM | 功能描述:高速光耦合器 1Mbps Single Chan Hi-Spd Transistor RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL4503SM | 功能描述:高速光耦合器 1Mbit/s HS Single Tran Out Coupler-NB RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL4503SVM | 功能描述:高速光耦合器 1Mbps Single Chan Hi-Spd Transistor RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL4503TM | 功能描述:高速光耦合器 1Mbit/s HS Single Tran Out Coupler-NB RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
| HCPL-4504 | 功能描述:高速光耦合器 1MBd 1Ch 12mA RoHS:否 制造商:Avago Technologies 电流传递比: 最大波特率: 最大正向二极管电压:1.75 V 最大反向二极管电压:5 V 最大功率耗散:40 mW 最大工作温度:+125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:SOIC-5 封装:Tube |
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