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参数资料
| 型号： | HCT-8 |
| 元件分类： | 通用定值电感 |
| 英文描述： | 1 ELEMENT, 400 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | HCT-8 |
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PDF描述 |
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| HCT-9 | 1 ELEMENT, 800 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HCT80 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Optoelectronic |
| HCT800 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 150V V(BR)DSS | 750MA I(D) | LLCC |
| HCT801 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 90V V(BR)DSS | LLCC |
| HCT802 | 功能描述:MOSFET DEM Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HCT802TX | 功能描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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