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参数资料
| 型号： | HFA3101B |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TRANSISTOR ARRAY UHF 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 频率： | 0Hz ~ 10GHz |
| 混频器数目： | 1 |
| 噪音数据： | 1.7dB |
| 包装： | 管件 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 产品目录页面： | 1246 (CN2011-ZH PDF) |
HFA3101
Design Example: Up Converter Mixer
Figure 12 shows an example of an up converter for cellular
TABLE 5. TYPICAL PARAMETERS FOR THE UP
CONVERTER EXAMPLE
applications.
Conclusion
The HFA3101 offers the designer a number of choices and
different applications as a powerful RF building block.
Although isolation is degraded from the theoretical results for
the cell due to the unbalanced, nondifferential input schemes
PARAMETER
Power Gain, LO = -6dBm
Power Gain, LO = 0dBm
RF Isolation, LO = 0dBm
LO Isolation, LO = 0dBm
V CC = 3V,
I BIAS = 8mA
3dB
4dB
15dBc
28dBc
V CC = 4V,
I BIAS = 18mA
5.5dBm
7.2dB
22dBc
28dBc
being used, a number of advantages can be taken into
consideration like cost, flexibility, low power and small outline
when deciding for a design.
V CC 3V
825MHz
LO IN
0.01
47-100pF
390nH
0.1
51
0.01
5.2nH
11p
900MHz
V CC
0.01
3V
110
Q 1 Q 2
Q 3 Q 4
0.01
Q 5
Q 6
0.01
RF IN
330
75MHz
R EE
R EE
51
0.01
220
27
FIGURE 12. UP CONVERTER
OUTPUT WITHOUT EMITTER DEGENERATION
OUTPUT WITH EMITTER DEGENERATION R EE = 4.7 ?
EXPANDED SPECTRUM R EE = 4.7 ?
890
901
912
SPAN
825
900
976
2LO - 10RF
12RF
50MHz
RF = 76MHz
LO = 825MHz
FIGURE 13. TYPICAL SPECTRUM PERFORMANCE OF UP CONVERTER
10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FAR-F5KA-782M00-D4VP-Z | FILTER SAW 782MHZ LTEXIII SMD |
| FAR-F6KA-1G7400-D4DE-Z | FILTER SAW 1.74GHZ W-CDMA IV SMD |
| UPC2763TB-E3-A | MMIC AMP 3V 2.9GHZ SOT363 |
| LP0805A2600ASTR | LOW PASS FILTER 2600MHZ 0805 SMD |
| UPB1007K-A | IC DOWNCONVERT DL 3V 36-QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HFA3101B96 | 功能描述:IC TRANS ARRAY NPN GILBERT 8SOIC RoHS:否 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 混频器 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:100 系列:- RF 型:W-CDMA 频率:2.11GHz ~ 2.17GHz 混频器数目:1 增益:17dB 噪音数据:2.2dB 次要属性:- 电流 - 电源:11.7mA 电源电压:2.7 V ~ 3.3 V 包装:托盘 封装/外壳:12-VFQFN 裸露焊盘 供应商设备封装:12-QFN-EP（3x3） |
| HFA3101BZ | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| HFA3101BZ | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:TRANSISTOR ARRAY |
| HFA3101BZ | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY GILBERT 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IC TRANSISTOR ARRAY, GILBERT |
| HFA3101BZ96 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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