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参数资料
| 型号： | HFA80NC40CSL |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 208K |
| 描述： | DIODE HEXFRED 400V 85A D61-8-SL |
| 标准包装： | 20 |
| 系列： | HEXFRED® |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.5V @ 80A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3µA @ 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 85A（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 反向恢复时间(trr)： | 100ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | D-61-8-SL |
| 供应商设备封装： | D-61-8-SL |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *HFA80NC40CSL |
HFA80NC40CSL
PD-2.472 rev. B 01/99
4
Fig. 7
- Typical Stored Charge vs. di
f/dt,
(per Leg)
Fig. 8
- Typical di
(rec)M/dt vs. dif/dt,
(per Leg)
Fig. 5
- Typical Reverse Recovery vs. di
f/dt,
(per Leg)
Fig. 6
- Typical Recovery Current vs. di
f/dt,
(per Leg)
40
60
80
100
120
140
160
100 1000
di /dt - (A/μs)f
t - (ns)
rr
I = 100AF
I = 40AF
I = 20AF
V = 200VR
T = 125°CJ
T = 25°CJ
1
10
100
100 1000
di /dt - (A/μs)
f
I - (A)
IRRM
I =100AF
I = 40AF
I = 20AF
V = 200VR
T = 125°CJ
T = 25°CJ
100
1000
10000
100 1000
di /dt - (A/μs)
f
di(rec)M/dt - (A/μs)
I = 100AF
I = 20AF
I = 40AF
V = 200VR
T = 125°CJ
T = 25°CJ
0
500
1000
1500
2000
2500
100 1000
di /dt - (A/μs)
f
RR
Q - (nC)
I = 100AF
I = 40AF
I = 20AF
V = 200VR
T = 125°CJ
T = 25°CJ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HFA80NC40CSM | DIODE HEXFRED 400V 85A D61-8-SM |
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参数描述 |
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