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参数资料
| 型号： | IMP11T110 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 343K |
| 描述： | DIODE SW 80V 100MA SOT-457 TR |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-SMD |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
IMP11
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Small mold type. (SMD6)
2) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol UnitLimits
VRM
V
VR
V
IFM
mA
Io mA100
Isurge
A
Power dissipation (TOTAL)(*1) 300Pd mW
Junction temperature 150Tj °C
Tstg °C?55 to ?150
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
VF
- - 1.2 V
IF=100mA
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
Storage temperature
(*1) Not exceed 200mW per element.
Parameter
Average rectified forward current (single)
Surge current (t=1us) (Single)
4
Reverse voltage (DC)
80
Forward current (Single)
300
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
80
SMD6
0.8MIN.
19
2.4
1.0MIN.
0.45
0.350.60.35
0.95 0.95
0.45
ROHM : SMD6
JEDEC :S0T-457
JEITA : SC-74
week code
1Pin Mark
2.9±0.2
2.8±0.2
1.9±0.2
1.6
＋0.2
－0.1
0.95 0.95
各リードとも同寸法Each lead has same dimension
0.05
0～0.1
(3)
(5)
(1)
(4)
(2)
(6)
0.3～0.6
0.15±0.1
0.06
1.1±0.2
0.1
0.8±0.1
0.3±0.1
3.2±0.1
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1
0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ1.05MIN
3.2±0.1
1.35±0.1
3.2±0.1
0.3±0.1
5.5±0.2
0～0.5
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2011.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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