型号: | HGTG40N60B3 |
厂商: | HARRIS SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT(70A, 600V,N沟道绝缘栅双极晶体管) |
中文描述: | 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
文件页数: | 5/7页 |
文件大小: | 76K |
代理商: | HGTG40N60B3 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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HGTG40N60B3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT IC |
HGTG40N60B3_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
HGTG40N60B3_Q | 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
HGTG40N60B3R4729 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
HGTG40N60C3 | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |