参数资料
型号: HGTG40N60B3
厂商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT(70A, 600V,N沟道绝缘栅双极晶体管)
中文描述: 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件页数: 6/7页
文件大小: 76K
代理商: HGTG40N60B3
6
FIGURE 16. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveform
FIGURE 17. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 18. SWITCHING TEST WAVEFORM
Typical Performance Curves
(Unless Otherwise Specified)
(Continued)
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-1
Z
θ
J
,
0.5
SINGLE PULSE
0.01
0.1
0.05
0.02
t
2
P
D
t
1
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
10
0
10
-2
0.2
R
G
= 3
L = 100
μ
H
V
DD
= 480V
+
-
RHRP3060
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON
HGTG40N60B3
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