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参数资料
| 型号： | HGTP20N60A4 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH SMPS 600V 70A TO220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-220AB Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，20A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 70A |
| 功率 - 最大： | 290W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | HGTP20N60A4_NL HGTP20N60A4_NL-ND |
HGTG20N60A4
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified (Continued)
5
4
3
2
1
FREQUENCY = 1MHz
C IES
C OES
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
DUTY CYCLE < 0.5%, T J = 25 o C
PULSE DURATION = 250 ? s,
I CE = 30A
I CE = 20A
I CE = 10A
C RES
0
0
20
40
60
80
100
1.7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 17. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
10 0
0.5
0.2
V GE , GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 18. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
vs GATE TO EMITTER VOLTAGE
10 -1
0.1
0.05
t 1
0.02
0.01
P D
t 2
10 -2
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR, D = t 1 / t 2
PEAK T J = (P D X Z ? JC X R ? JC ) + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 19. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
HGTG20N60A4D
DIODE TA49372
90%
V GE
10%
R G = 3 ?
L = 500 ? H
DUT
V CE
90%
E OFF
E ON2
+
-
V DD = 390V
I CE
10%
t d(OFF)I
t fI
t rI
t d(ON)I
FIGURE 20. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 21. SWITCHING TEST WAVEFORMS
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTG20N60A4 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTP5N120BND | IGBT NPT N-CH 1200V 21A TO-220AB |
| HGTP7N60A4 | IGBT N-CH SMPS 600V 34A TO220AB |
| HHM2319B2 | COUPLER DIRECTIONAL AGSM-DCS-PCS |
| HHTX-102-433HT-2B | XMITTER HANDHELD 433MHZ 2BUTTON |
| HHTX-103-915HT-2B | XMITTER HANDHELD 915MHZ 2BUTTON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HGTP20N60B3 | 功能描述:IGBT 晶体管 TO-220 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| HGTP20N60B3R4035 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGTP20N60C3 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT |
| HGTP20N60C3R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HGTP2N120BN | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
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