参数资料
型号: HIP2101IBT
厂商: Intersil
文件页数: 8/12页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
标准包装: 2,500
配置: 半桥
输入类型: PWM
延迟时间: 25ns
电流 - 峰: 2A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 100V
电源电压: 9 V ~ 14 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 带卷 (TR)
HIP2101
Typical Performance Curves
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
(Continued)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
V HO , V LO (V)
FIGURE 12. PEAK PULLUP CURRENT vs OUTPUT VOLTAGE
1
0.1
0.01
0.001
1 ? 10 -4
1 ? 10 -5
V LO , V HO (V)
FIGURE 13. PEAK PULLDOWN CURRENT vs OUTPUT
VOLTAGE
60
50
I HB vs V HB
40
I DD vs V DD
30
20
10
1 ? 10-6
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
0
5
10
15
FORWARD VOLTAGE (V)
FIGURE 14. BOOTSTRAP DIODE I-V CHARACTERISTICS
120
100
80
60
40
20
0
V DD , V HB (V)
FIGURE 15. QUIESCENT CURRENT vs VOLTAGE
8
12
14 15
V DD TO V SS VOLTAGE (V)
FIGURE 16. VHS VOLTAGE vs V DD VOLTAGE
16
FN9025.8
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PDF描述
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参数描述
HIP2101IB-T 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver
HIP2101IBZ 功能描述:功率驱动器IC HIP2101IBZVERSION 100V HALF BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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