- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20565 > HIP2101IR4Z (Intersil)IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN PDF资料下载
参数资料
| 型号： | HIP2101IR4Z |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN |
| 标准包装： | 75 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 25ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 100V |
| 电源电压： | 9 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 12-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 12-DFN-EP（4x4） |
| 包装： | 管件 |
HIP2101
Pin Descriptions
SYMBOL
V DD
HB
HO
HS
HI
LI
V SS
LO
EPAD
DESCRIPTION
Positive Supply to lower gate drivers. De-couple this pin to V SS . Bootstrap diode connected to HB.
High-Side Bootstrap supply. External bootstrap capacitor is required. Connect positive side of bootstrap capacitor to this pin.
Bootstrap diode is on-chip.
High-Side Output. Connect to gate of High-Side power MOSFET.
High-Side Source connection. Connect to source of High-Side power MOSFET. Connect negative side of bootstrap capacitor to
this pin.
High-Side input.
Low-Side input.
Chip negative supply, generally will be ground.
Low-Side Output. Connect to gate of Low-Side power MOSFET.
Exposed pad. Connect to ground or float. The EPAD is electrically isolated from all other pins.
Timing Diagrams
LI
HI ,
LI
HI
t HPLH ,
t LPLH
t HPHL ,
t LPHL
LO
HO ,
LO
FIGURE 3.
Typical Performance Curves
4.000
HO
3.500
t MON
FIGURE 4.
t MOFF
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
0.500
150°C
125°C
25°C
-40°C
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
0.500
150°C, 125°C
25°C
-40°C
0.000
10
30
50
70
90
200 400
600
800
1000
0.000
10
30
50
70
90
200
400
600
800
1000
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 5A.
FIGURE 5. OPERATING CURRENT vs FREQUENCY
6
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 5B.
FN9025.8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 356-012-525-104 | CARDEDGE 12POS .156 BLACK |
| EBM11DRAH | CONN EDGECARD 22POS R/A .156 SLD |
| MBRB25H60CT-E3/81 | DIODE ARR SCHOTTKY 60V 15A D2PAK |
| AT24C01-10TI-2.7 | IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8TSSOP |
| HIP2100IR4Z | IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2101IR4ZT | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 12LD 4X4 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2101IR4Z-T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
| HIP2101IRT | 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 100V 16-QFN RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| HIP2101IR-T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver |
| HIP2101IRZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V H-BRDG DRVR 5X5 MLFP RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。