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参数资料
| 型号： | HIP2122FRTBZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INTERFACE |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | * |
HIP2122, HIP2123
Typical Performance Curves
6.7
6.5
(Continued)
0.70
0.65
6.3
6.1
V HBR
V DDR
0.60
0.55
V HBH
5.9
5.7
0.50
5.5
0.45
V DDH
5.3
-50
0
50
100
150
0.40
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9. UNDERVOLTAGE LOCKOUT THRESHOLD vs
TEMPERATURE
55
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 10. UNDERVOLTAGE LOCKOUT HYSTERESIS vs
TEMPERATURE
55
50
45
t LPLH
50
45
t LPLH
40
35
t HPLH
40
35
t HPLH
t LPHL
30
t HPHL
t LPHL
30
t HPHL
25
25
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 11. HIP2122 PROPAGATION DELAYS vs TEMPERATURE
8.0
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 12. HIP2123 PROPAGATION DELAYS vs TEMPERATURE
10.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
t MON
t MOFF
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
t MON
t MOFF
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 13. HIP2122 DELAY MATCHING vs TEMPERATURE
9
TEMPERATURE (°C)
FIGURE 14. HIP2123 DELAY MATCHING vs TEMPERATURE
FN7670.0
December 23, 2011
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASPI-2515-4R7M-T2 | INDUCTOR CHIP 4.7UH 890MA |
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| R1D12-0512/HP | CONV DC/DC 1W 05VIN +/-12VOUT |
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| ASPI-2510-2R2M-T2 | INDUCTOR CHIP 2.2UH 2510 SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| HIP2123FRTAZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTAZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTBZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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