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参数资料
| 型号： | HIP2123FRTAZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INTERFACE |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | * |
HIP2122, HIP2123
Block Diagram
VDD
HB
HIP2122,
HIP2123
UNDER
VOLTAGE
LEVEL
SHIFT
HO
HS
HO
HIP2122
HIP2122/23
DELAY
RDT
LO
OPTIONAL INVERSION
FOR FUTURE PART
NUMBERS
DELAY
EPAD IS
UNDER
VOLTAGE
LO
HIP2122
HIP2122/23
ELECTRICALLY
ISOLATED
VSS
EPAD
Pin Configurations
HIP2122, HIP2123
(10 LD 4X4 TDFN)
TOP VIEW
HIP2122, HIP2123
(9 LD 4X4 TDFN)
TOP VIEW
VDD
1
10 LO
VDD
1
10 LO
HB
2
9
VSS
9
VSS
HO
HS
NC
3
4
5
EPAD
8
7
6
LI
HI
RDT
HB
HO
HS
3
4
5
EPAD
8
7
6
LI
HI
RDT
2
FN7670.0
December 23, 2011
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCM06DSEH | CONN EDGECARD 12POS .156 EYELET |
| R1D12-0515/HP | CONV DC/DC 1W 05VIN +/-15VOUT |
| LXD75-0450SW | POWER SUPPLY LED 75W 450MA DIM |
| HIP2122FRTBZ | IC INTERFACE |
| ASPI-2515-4R7M-T2 | INDUCTOR CHIP 4.7UH 890MA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP2123FRTAZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTBZ | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP2123FRTBZ-T | 功能描述:功率驱动器IC 100V 2A PEAK HALF BRDG DRV W/DELAY TMR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP22100IB | 制造商:Intersil Corporation 功能描述: |
| HIP2500 | 制造商:HARRIS 制造商全称:HARRIS 功能描述:Half Bridge 500VDC Driver |
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