参数资料
| 型号： | HIP6004ECBZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 应用： | 控制器，Intel VRM8.5 |
| 输入电压： | 5V，12V |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 1.05 V ~ 1.825 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 带卷 (TR) |
HIP6004E
Schottky Selection
Rectifier D 2 is a clamp that catches the negative inductor swing
during the dead time between turning off the lower MOSFET
and turning on the upper MOSFET. The diode must be a
Schottky type to prevent the lossy parasitic MOSFET body
diode from conducting. It is acceptable to omit the diode and let
the body diode of the lower MOSFET clamp the negative
inductor swing, but efficiency will drop one or two percent as a
result. The diode’s rated reverse breakdown voltage must be
greater than the maximum input voltage.
+5V
HIP6004E DC-DC Converter Application
Circuit
Figure 11 shows an application circuit of a DC-DC Converter
for a microprocessor. Detailed information on the circuit,
including a complete bill-of-materials and circuit board
description, can be found in AN9916. This application note
also contains the application information for ISL6525, an
controller IC designed to meet the VTT voltage and power-
up sequencing specification given in the Intel VRM8.5.
V IN =
OR
+12V
F 1
L 1 - 1 μ H
C IN
3x1000 μ F
+12V
2N6394
1 μ F
2K
D 1
0.1 μ F
1000pF
V CC
OVP
18
19
2 OCSET
1.8K
SS 3
MONITOR
AND
12 PGOOD
0.1 μ F
V SEN 1
PROTECTION
15 BOOT
6
+
RT 20
4
VID25mV
5
VID0
VID1
7
VID2
8
VID3
FB 10
D/A
OSC
HIP6004E
-
+
-
14 UGATE
13 PHASE
17 LGATE
16 PGND
Q 1
Q 2
0.1 μ F
D 2
L 2
2.4 μ H
C OUT
5x1000 μ F
+V OUT
9
11
10nF
0.033 μ F
470pF
56K
COMP
GND
Component Selection Notes:
3.32K
27
D 1 - 1N4148 or equivalent.
C OUT - Each 1000 μ F 6.3W VDC, Rubycon ZA series or equivalent.
C IN - Each 330 μ F 25W VDC, Rubycon ZA series or equivalent.
L 2 - Core: micrometals T68-52A; winding: 7 turns of 16AWG.
D 2 - 3A, 40V Schottky, Motorola MBR340 or equivalent.
Q 1 - Intersil MOSFET; HUF76137.
Q 2 - Intersil MOSFET; HUF76139.
L 1 - Core: micrometals T50-52; winding: 5 turns of 16AWG.
FIGURE 11. MICROPROCESSOR DC-DC CONVERTER
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIC5322-MFYMT TR | IC REG LDO 2.8V/1.5V .15A 6TMLF |
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| ISL6566IRZA-T | IC CTRLR PWM BUCK 3PHASE 40-QFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP6004ECV | 功能描述:IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 稳压器 - 专用型 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:2,000 系列:- 应用:电源，ICERA E400，E450 输入电压:4.1 V ~ 5.5 V 输出数:10 输出电压:可编程 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:42-WFBGA，WLCSP 供应商设备封装:42-WLP 包装:带卷 (TR) |
| HIP6004ECV-T | 功能描述:IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 稳压器 - 专用型 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:2,000 系列:- 应用:电源，ICERA E400，E450 输入电压:4.1 V ~ 5.5 V 输出数:10 输出电压:可编程 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:42-WFBGA，WLCSP 供应商设备封装:42-WLP 包装:带卷 (TR) |
| HIP6004ECVZ | 功能描述:电压模式 PWM 控制器 20LD BUCK & SYNCHCT PWMCONT & OUTPUT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:1 拓扑结构:Buck 输出电压:34 V 输出电流: 开关频率: 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V 电源电流:600 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| HIP6004ECVZ-T | 功能描述:电压模式 PWM 控制器 20LD BUCK&SYNCHCT PWMCONOUTPUT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:1 拓扑结构:Buck 输出电压:34 V 输出电流: 开关频率: 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V 电源电流:600 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| HIP6004EVAL1 | 功能描述:EVALUATION BOARD HIP6004 RoHS:否 类别:编程器，开发系统 >> 过时/停产零件编号 系列:- 标准包装:1 系列:- 传感器类型:CMOS 成像，彩色（RGB） 传感范围:WVGA 接口:I²C 灵敏度:60 fps 电源电压:5.7 V ~ 6.3 V 嵌入式:否 已供物品:成像器板 已用 IC / 零件:KAC-00401 相关产品:4H2099-ND - SENSOR IMAGE WVGA COLOR 48-PQFP4H2094-ND - SENSOR IMAGE WVGA MONO 48-PQFP |
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