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参数资料
| 型号： | HIP6602BCRZ |
| 厂商： | INTERSIL CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | FPGA 1600000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
| 中文描述： | 0.73 A 2 CHANNEL, HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PQCC16 |
| 封装： | 5 X 5 MM, GREEN, PLASTIC, MO-220VHHB, QFN-16 |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 319K |
| 代理商： | HIP6602BCRZ |
10
FN9076.5
July 22, 2005
FIGURE 8. POWER DISSIPATION vs LOADING, PVCC = 5V
Typical Performance Curves
(Continued)
30kHz
100kHz
200kHz
500kHz
1MHz
2MHz
1.5MHz
PVCC = 5V,
VCC = 12V
5
4
3
2
1
P
600
500
400
300
200
100
0
GATE CAPACITANCE (C
U
= C
L
), (nF)
HIP6602B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HIP6602BCRZA | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL CH SYNCH CT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6602BCRZA-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANL DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6602BCRZ-T | 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| HIP6602CB | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HIP6602CB-T | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
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