参数资料
型号: HIP6602BCRZ
厂商: INTERSIL CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: FPGA 1600000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述: 0.73 A 2 CHANNEL, HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PQCC16
封装: 5 X 5 MM, GREEN, PLASTIC, MO-220VHHB, QFN-16
文件页数: 3/12页
文件大小: 319K
代理商: HIP6602BCRZ
3
FN9076.5
July 22, 2005
Typical Application - 2 Channel Converter Using a HIP6302 and a HIP6602B Gate Driver
MAIN
CONTROL
HIP6302
FB
+5V
COMP
PWM1
PWM2
ISEN2
VSEN
FS/DIS
ISEN1
GND
BOOT2
UGATE2
PHASE2
LGATE2
BOOT1
UGATE1
LGATE1
PWM1
PVCC
+5V/12V
VCC
+12V
DUAL
DRIVER
HIP6602B
PGND
V
CC
+V
CORE
PWM2
PGOOD
VID
+12V
GND
PHASE1
+12V
HIP6602B
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PDF描述
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参数描述
HIP6602BCRZA 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL DL CH SYNCH CT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZA-T 功能描述:功率驱动器IC W/ANL DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
HIP6602BCRZ-T 功能描述:功率驱动器IC DL CH SYNCHCT BUCK MOSF DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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