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参数资料
| 型号： | HMC308E |
| 厂商： | Hittite Microwave Corporation |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MMIC AMP GP SOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 800MHz ~ 3.8GHz |
| P1dB： | 12dBm |
| 增益： | 13dB |
| 噪音数据： | 7dB |
| RF 型： | 通用 |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 53mA |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1127-1016-6 |
HMC308 / 308E
v05.1107
GENERAL PURPOSE 100 mW GaAs
MMIC AMPLIFIER, 0.8 - 3.8 GHz
Broadband Gain
& Return Loss @ Vdd = +5V
P1dB vs. Vdd Bias
30
20
10
24
20
16
9
0
S11
S21
S22
12
-10
-20
-30
8
4
0
Vdd=+5V
Vdd=+3V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
FREQUENCY (GHz)
Gain vs. Temperature @ Vdd = +5V
24
20
16
12
FREQUENCY (GHz)
Gain vs. Temperature @ Vdd = +3V
24
20
16
12
8
4
0
+25 C
+85 C
-40 C
8
4
0
+25 C
+85 C
-40 C
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
FREQUENCY (GHz)
Input & Output
Return Loss vs. Vdd Bias
0
-5
FREQUENCY (GHz)
Reverse Isolation vs. Vdd Bias
0
-10
-10
-20
Vdd=+5V
Vdd=+3V
-15
-30
-20
-40
-25
S11 Vdd=+5V
-30
-35
S22 Vdd=+5V
S11 Vdd=+3V
S22 Vdd=+3V
-50
-60
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
FREQUENCY (GHz)
FREQUENCY (GHz)
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com
9-3
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